如果用一个词来叙述2016年的固态硬盘市场的话，那么存储器颗粒意味著是不会被提到的一个关键热词。在过去的2016年里，环绕着存储器颗粒再次发生了一系列大事，还包括存储器颗粒的量产引起固态涨价，存储器颗粒的制程问题引起的厂商竞争，以及“MBS张贴”般的MLC/TLC颗粒的好坏问题。
那么，究竟什么是存储器颗？2DNAND和3DNAND之间又有哪些区别和联系？存储器颗粒究竟是什么？存储器颗粒，又称存储器，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以留存早已载入的数据，而且是以相同的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。根据用途和规格有所不同，存储器颗粒有很多有所不同的变种，今天我们主要辩论的是用作固态硬盘等存储设备中的、尤为常用的NAND存储器颗粒。NAND存储器颗粒，是存储器家族的一员，最先由日立公司于1989年研制并推向市场，由于NAND存储器颗粒具有功耗更加较低、价格更加较低和性能较佳等诸多优点，沦为了存储行业尤为最重要的存储原料。
根据NAND存储器中电子单元密度的差异，又可以分成SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC（三层存储单元），此三种存储单元在寿命以及耗资上具有显著的区别。在这里我们就仍然展开讨论了。
2D和3D存储器之间的区别和联系在说明3DNAND之前，我们再行得弄清楚2DNAND是什么，以及“2D”和“3D”的现实含义。首先是2DNAND，我们告诉在数学和物理领域，2D/3D都是所指的方向，都是所指的坐标轴，“2D”所指的是平面上的宽和长，而“3D”则是在“2D”基础上，加到了一个横向方向的“低”的概念。
由此，2DNAND现实的含义只不过就是一种颗粒在单die内部的排序方式，是按照传统二维平面模式展开排序存储器颗粒的。比较不应的，3DNAND则是在二维平面基础上，在横向方向也展开颗粒的排序，将要原本平面的填充方式，展开了创意。利用新的技术（即3DNAND技术）使得颗粒需要展开立体式的填充，从而解决问题了由于晶圆物理无限大而无法更进一步不断扩大单die能用容量的容许，在某种程度体积大小的情况下，很大的提高了存储器颗粒单die的容量体积，更进一步推展了存储颗粒总体容量的攀升。
同时，在业界，根据在横向方向填充的颗粒层数有所不同，和搭配的颗粒种类有所不同，3DNAND颗粒又可以分成32层、48层甚至64层3DTLC/MLC颗粒的有所不同产品，这各不相同各大原厂厂商的技术储备和实际搭配的颗粒种类。我们可以打个比方，来解读2DNAND和3DNAND技艺之间的区别和联系。2DNAND就如同在一块受限的平面上创建的数间平房，这些平房规整排序，但是随着需求量的大大减少，平房的数量大大井喷，可最后这块面积受限的平面不能容纳一定数量的平房而无法之后减少；3DNAND则就如同在同一块平面上建起的楼房，在某种程度的平面中，楼房的容积率却相比之下低于平房，因而它能获取更好的空间，也就是获取了更大的存储空间，而32层、48层以及64层，则就是这些楼房的高度，一共填充了多少层。
虽然，3DNAND技术需要在同等体积下，获取更好的存储空间，但是这项填充技术对于原厂制造商来说具有非常的操作者可玩性，必须原厂具有非常的技术累积，因而目前需要掌控3DNAND技术的原厂公司十分少见，只有三星、美光等少数公司的3DNAND颗粒构建了量产和问世。
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